中微公司重磅发布六大半导体设备新产品 引领技术革新加速迈向平台化

　　中国无锡，2025年9月4日 —— 在第十三届半导体设备与核心部件及材料展（CSEAC 2025）上，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称 “中微公司”，股票代码：688012.SH）宣布重磅推出六款半导体设备新产品。这些设备覆盖等离子体刻蚀（Etch）、原子层沉积（ALD）及外延（EPI）等关键工艺，不仅充分彰显了中微公司在技术领域的硬核实力，更进一步巩固了其在高端半导体设备市场的领先地位，为加速向高端设备平台化公司转型注入强劲新动能。

　　开幕式上，中微公司董事长兼总经理尹志尧博士在主旨报告环节正式宣布了六款新设备的发布，并深入阐述了新产品的先进性能与独特优势。他强调，中微公司始终以市场与客户需求为导向，持续加大研发力度。公司2025年上半年研发投入达14.92亿元，同比增长约53.70 %， 研发投入占公司营业收入比例约为30.07%，远高于科创板上市公司10%到15%的平均研发投入水平。目前，公司在研项目涵盖六大类、超二十款新设备，研发速度实现跨越式提升 —— 过去一款新设备的开发周期通常为3到5 年，如今仅需 2 年甚至更短时间就能推出极具市场竞争力的产品并顺利落地。

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　　尹志尧博士在开幕式上做主旨报告 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　刻蚀技术再攀高峰 两款新品又增核心竞争力

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　　在刻蚀技术方面，中微公司此次发布的两款新品分别在极高深宽比刻蚀及金属刻蚀领域为客户提供了领先和高效的解决方案。

　　中微公司新一代极高深宽比等离子体刻蚀“利器”—— CCP 电容性高能等离子体刻蚀机Primo UD-RIE® 基于成熟的 Primo HD-RIE® 设计架构并全面升级，配备六个单反应台反应腔，通过更低频率、更大功率的射频偏压电源，提供更高离子轰击能量，可以满足极高深宽比刻蚀的严苛要求，兼顾刻蚀精度与生产效率。

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　　Primo UD-RIE®引入了多项创新技术，自主研发的动态边缘阻抗调节系统通过调节晶圆边缘等离子体壳层调节边缘深孔刻蚀的垂直性，大大提高了晶圆边缘的合格率。其上电极多区温控系统，优化了高射频功率下的散热管理，有效提升了设备的稳定性和可靠性。同时，Primo UD-RIE®还采用了全新的温度可切换多区控温静电吸盘和主动控温边缘组件，不仅提高了抗电弧放电能力，还显著提升了晶圆边缘的良率，为生产先进存储芯片提供了有力保障。

　　中微公司Primo UD-RIE®

　　同步亮相的Primo Menova™? 12 寸ICP 单腔刻蚀设备，专注于金属刻蚀领域，尤其擅长金属 Al 线、Al 块刻蚀，广泛适用于功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造，是晶圆厂金属化工艺的核心设备。这款设备延续了中微公司量产机型 Primo Nanova® 的优秀基因，在刻蚀均一性控制方面表现卓越，可实现高速率、高选择比及低底层介质损伤等优异性能。同时，其高效腔体清洁工艺能有效减少腔室污染、延长持续运行时间；集成的高温水蒸气除胶腔室（VoDM strip chamber）可高效清除金属刻蚀后晶圆表面残留的光刻胶及副产物。此外，主刻蚀腔体与除胶腔体可根据客户工艺需求灵活组合，最大限度满足高生产效率要求，确保高负荷生产中的稳定性与良率。今年 6 月，该设备的全球首台机已付运到客户认证，进展顺利，并和更多的客户展开合作。 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

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　　中微公司Primo Menova™? 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　薄膜沉积布局升级 Preforma Uniflash® 系列填补空白

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　　在此次新品发布中，中微公司推出的 12 英寸原子层沉积产品 Preforma Uniflash® 金属栅系列，成为薄膜沉积领域的一大亮点。该系列涵盖Preforma Uniflash® TiN、Preforma Uniflash® TiAI及Preforma Uniflash® TaN三大产品，能够满足先进逻辑与先进存储器件在金属栅方面的应用需求。

　　Preforma Uniflash® 金属栅系列产品采用中微公司独创的双反应台设计，系统可灵活配置多达五个双反应台反应腔，满足高真空系统工艺集成需求的同时实现业界领先的生产效率。该系列产品搭载中微公司独有的多级匀气混气系统，融合基于模型算法的加热系统设计，以及可实现高效原子层沉积反应的反应腔流导设计等核心技术，不仅能满足先进逻辑客户的性能需求，其设备在薄膜均一性、污染物控制能力及生产效率方面均达到世界先进水平。

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(小编：财神)