特斯拉真有惊天“黑科技”？

　　作为新能源汽车的领军企业，特斯拉的一举一动经常影响到资本市场，管理层的发言也常常引得二级市场异动。此前，机器人概念、人脑工程概念都曾因此强势走高。

　　近期，在特斯拉的投资者活动日上，几大高管的发言再次牵动市场神经，引发A股碳化硅、稀土概念中的个股集体跳水。会上，特斯拉高管们表示，特斯拉的下一代平台将减少75%的碳化硅使用，而且下一代永磁电机将完全不使用稀土材料。 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　一个是突破性的第三代半导体材料碳化硅，一个是世界紧缺的重要战略资源稀土，近年来，两者在新能源汽车中占据着重要位置，相关概念在资本市场上也一度受到热捧。随着特斯拉放话，是否意味着上述两种材料大势已去？

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　　或是不改“价格屠夫”初心

　　事实上，特斯拉此次提出的两大目标，本质上或许还是为了控制成本。

　　首先是碳化硅。 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　其实，汽车大厂对碳化硅一直是又爱又恨，其优点是具备耐高压、耐高温、高频化等特性，可以令整车能耗更低、尺寸更小、行驶里程更长，一定程度上缓解新能源车里程焦虑问题。此外，据东芝半导体披露，将IGBT替换为碳化硅MOSFET，额定运行期间每个器件的损耗可降低约41%。而缺点就是，相比传统的硅材料，碳化硅太贵了。

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　　2018年，特斯拉在Model 3中率先采用碳化硅SiC，带动第三代半导体跟着新能源汽车行业快速发展。相比其他还使用传统IGBT的新能源汽车厂商，使用SiC的特斯拉在性能上有了更多优势。因此，如今特斯拉突然宣布减少75%的用量，本质上还是在控制成本。具体有两点原因：

　　其一，特斯拉碳化硅用量很大。此前，东吴证券在研报中提到，据市场估算，特斯拉未来会逐步将碳化硅应用至OBC、充电器、快充电桩等，预计平均2辆特斯拉纯电动车就需要一片6寸SiC晶圆。

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　　以年产能100万辆Model 3/Y计，公司一年需要超50万片6寸晶圆，而目前全球SiC晶圆总年产能在40万~60万片。这意味着，特斯拉一家企业就能消耗掉当下全球碳化硅总产能。 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　其二，碳化硅成本居高不下。目前，碳化硅报价经历了相当一段时间的下跌。2022年跌幅达15%，但仍旧维持在高位。

　　根据东尼电子此前公告，东尼半导体将在2023年向某客户交付6英寸碳化硅衬底13.5万片，含税销售金额合计6.75亿元。以此测算，碳化硅衬底单片价格为5000元。根据中商产业研究院整理的数据，衬底约占碳化硅器件成本的47%，因此，单颗碳化硅器件成本直接破万。海外头部厂商的SBD wafer和MOSFET wafer成本能达到2~3万元。 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

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　　数据来源：中商产业研究院整理

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　　因此，使用碳化硅，或令特斯拉的单车成本增加了1万元左右，是硅基IGBT的3~5倍。特斯拉此次的潜台词，或许可以看成是向碳化硅产业表示，目前的价格太贵，且有效产能太小。以此倒逼相关企业加速扩产、提效、降价。

　　碳化硅之外，是永磁电机中的稀土。 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　新能源汽车成本结构中最重要的三大部分分别是电池、电机和电控系统。目前，电池成本占新能源汽车成本比约40-50%，而电机约占全车成本10%左右。以单车25万元计算，电机成本达2.5万元。中商产业研究院数据显示，永磁同步电机的成本构成中永磁体的占比最大，约44.9%（稀土材料或占3成以上）。使用稀土永磁体的单车成本又增加了一万元。

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　　数据来源：中商产业研究院整理 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　此外，摆脱稀土资源供应不足，和向稀土企业压价，或许也是此次的目的。 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　此前，为了降低成本，特斯拉就开始使用无钴电池，如今“减少75%的碳化硅用量”“弃用稀土”听起来是技术突破，但本意或还是控制成本。 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　02

　　新技术理论上存在 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　落地仍需时间 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　假设特斯拉真的有了“黑科技”，可以在降低成本的同时完全不影响汽车性能，这种可能存在吗？理论上来看，降低碳化硅用量大概率是和传统硅基材料混合使用，有望在下一代平台实现。但永磁电机弃用稀土，虽然存在相关的技术路线，但商业化应用或许还有一段距离。

　　首先，针对减少75%碳化硅用量，市场已经给出了相关方案。 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　据科创板日报，有布局SiC业务的企业管理者分析表示，可能是多方面工程化持续提升的累计结果，包括：

　　①SiC芯片面积持续微缩：同样电流能力用更小的芯片； 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　②封装技术持续演进：拥有更强的散热能力；

　　③SiC芯片良率进一步提升：可以减少SiC材料的浪费； 本文来自散户吧WWW.SANHUBA.COM

　　④SiC/IGBT混合拓扑的应用：减少碳化硅MOSFET晶体管的数量，和硅基IGBT混合应用，SiC轻载效率高，IGBT重载性价比突出。

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(小编：财神)